1. Processo de dopagem a laser SE
Propósito:O processo de dopagem a laser Selective Emitter (SE) aprimora a camada emissora em uma célula TOPCon do tipo N para reduzir a resistência de contato e melhorar a eficiência de conversão.
Mecanismo:A energia do laser derrete a superfície do silício, permitindo que os átomos de boro (B) no vidro borossilicato se difundam rapidamente no silício, criando uma camada altamente dopada. A alta dopagem nos pontos de contato reduz a resistência de contato, enquanto uma dopagem mais leve em outros locais minimiza as perdas por recombinação, melhorando a eficiência em 0,2% a 0,4%.
2. Formação de camadas de óxido de tunelamento e silício policristalino
Propósito:Essas camadas na parte traseira da pastilha de silício criam uma estrutura de contato passivada, crucial para reduzir a recombinação e aumentar a eficiência.
Método:O método de Deposição Química de Vapor Assistida por Plasma (PECVD), preferido pela indústria, deposita uma camada de óxido de silício de 1 a 2 nm e uma camada de silício amorfo dopado de 100 a 150 nm, que cristaliza durante o recozimento para formar uma camada policristalina. O PECVD oferece alta velocidade de deposição, contaminação reduzida e baixo custo, tornando-se uma escolha eficaz para a produção em massa.
3. Revestimento antirreflexo (ARC)
Propósito:A estrutura dielétrica multicamadas (SiOx/SiONx/SiNx) reduz as perdas ópticas e aumenta a absorção de luz, impulsionando a fotocorrente e a eficiência.
Benefícios adicionais:A camada antirreflexo (ARC) proporciona passivação da superfície, reduzindo as taxas de recombinação superficial, prolongando a vida útil da célula e protegendo as camadas previamente depositadas (como alumina na parte frontal) contra danos e contaminação.
4. Disparo Induzido por Laser (LIF)
Propósito:A tecnologia LIF é utilizada após a serigrafia para otimizar o contato entre a pasta metálica e o silício. Esse processo melhora o contato ôhmico e reduz a resistência de contato, aprimorando o desempenho elétrico.
Impacto:Foi demonstrado que o LIF aumenta a eficiência de conversão em 0,2% ou mais, tornando-se um complemento valioso para a fabricação de TOPCon.
Essas etapas principais do processo destacam as técnicas avançadas de fabricação da tecnologia TOPCon, permitindo maior eficiência e estabilidade aprimorada no desempenho das células solares.
