1. Processo di drogaggio laser SE
Scopo:Il processo di drogaggio laser Selective Emitter (SE) migliora lo strato emettitore su una cella TOPCon di tipo N per ridurre la resistenza di contatto e migliorare l'efficienza di conversione.
Meccanismo:L'energia laser fonde la superficie del silicio, consentendo agli atomi di boro (B) presenti nel vetro borosilicato di diffondersi rapidamente nel silicio, creando uno strato fortemente drogato. L'elevato drogaggio nei punti di contatto riduce la resistenza di contatto, mentre un drogaggio più leggero altrove minimizza le perdite per ricombinazione, migliorando in definitiva l'efficienza dello 0,2%-0,4%.
2. Formazione di strati di ossido di tunnel e silicio policristallino
Scopo:Questi strati sul lato posteriore del wafer di silicio creano una struttura di contatto passivata, fondamentale per ridurre la ricombinazione e migliorare l'efficienza.
Metodo:Il metodo PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), preferito dall'industria, deposita un film di ossido di silicio di 1-2 nm e uno strato di silicio amorfo drogato di 100-150 nm, che cristallizza durante la ricottura per formare uno strato policristallino. Il PECVD offre un'elevata velocità di deposizione, una ridotta contaminazione e un basso costo, il che lo rende una scelta efficace per la produzione di massa.
3. Rivestimento antiriflesso (ARC)
Scopo:La struttura dielettrica multistrato (SiOx/SiONx/SiNx) riduce le perdite ottiche e migliora l'assorbimento della luce, incrementando la fotocorrente e l'efficienza.
Ulteriori vantaggi:Il sistema ARC fornisce passivazione superficiale riducendo i tassi di ricombinazione superficiale, prolungando la durata di vita della cella e proteggendo gli strati depositati in precedenza (come l'allumina sulla parte frontale) da danni e contaminazioni.
4. Innesco a laser (LIF)
Scopo:La tecnica LIF viene utilizzata dopo la serigrafia per ottimizzare il contatto tra la pasta metallica e il silicio. Questo processo migliora il contatto ohmico e riduce la resistenza di contatto, ottimizzando la resa elettrica.
Impatto:È stato dimostrato che LIF aumenta l'efficienza di conversione dello 0,2% o più, rendendolo un valido complemento alla produzione TOPCon.
Queste fasi chiave del processo mettono in evidenza le tecniche di produzione avanzate della tecnologia TOPCon, che consentono una maggiore efficienza e una stabilità superiore nelle prestazioni delle celle solari.
