1. एसई लेजर डोपिंग प्रक्रिया
उद्देश्य:सेलेक्टिव एमिटर (एसई) लेजर डोपिंग प्रक्रिया एन-टाइप टॉपकॉन सेल पर एमिटर लेयर को बेहतर बनाती है, जिससे संपर्क प्रतिरोध कम होता है और रूपांतरण दक्षता में सुधार होता है।
तंत्र:लेजर ऊर्जा सिलिकॉन की सतह को पिघला देती है, जिससे बोरोसिलिकेट ग्लास में मौजूद बोरॉन (B) परमाणु तेजी से सिलिकॉन में फैल जाते हैं और एक अत्यधिक डोपिंग वाली परत बन जाती है। संपर्क बिंदुओं पर उच्च डोपिंग से संपर्क प्रतिरोध कम हो जाता है, जबकि अन्य स्थानों पर कम डोपिंग से पुनर्संयोजन हानि कम हो जाती है, जिससे अंततः दक्षता में 0.2%-0.4% तक सुधार होता है।
2. टनल ऑक्साइड और पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन परतों का निर्माण
उद्देश्य:सिलिकॉन वेफर की पिछली सतह पर ये परतें एक निष्क्रिय संपर्क संरचना बनाती हैं, जो पुनर्संयोजन को कम करने और दक्षता बढ़ाने के लिए महत्वपूर्ण है।
तरीका:उद्योग में पसंदीदा प्लाज्मा एनहांस्ड केमिकल वेपर डिपोजिशन (PECVD) विधि से 1-2 एनएम मोटी सिलिकॉन ऑक्साइड फिल्म और 100-150 एनएम मोटी डोप्ड अमोर्फस सिलिकॉन परत जमा की जाती है, जो एनीलिंग के दौरान क्रिस्टलीकृत होकर एक बहुक्रिस्टलीय परत बनाती है। PECVD उच्च जमाव गति, कम संदूषण और कम लागत प्रदान करती है, जिससे यह बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए एक प्रभावी विकल्प बन जाती है।
3. एंटी-रिफ्लेक्टिव कोटिंग (ARC)
उद्देश्य:बहुस्तरीय परावैद्युत संरचना (SiOx/SiONx/SiNx) प्रकाशीय हानियों को कम करती है और प्रकाश अवशोषण को बढ़ाती है, जिससे फोटोकरंट और दक्षता में वृद्धि होती है।
अतिरिक्त लाभ:एआरसी सतह पर पुनर्संयोजन की दर को कम करके, कोशिका जीवनकाल को बढ़ाकर और पहले से जमा की गई परतों (जैसे कि सामने की ओर एल्यूमिना) को क्षति और संदूषण से बचाकर सतह निष्क्रियता प्रदान करता है।
4. लेजर-प्रेरित फायरिंग (एलआईएफ)
उद्देश्य:स्क्रीन प्रिंटिंग के बाद मेटल पेस्ट और सिलिकॉन के बीच संपर्क को बेहतर बनाने के लिए LIF का उपयोग किया जाता है। यह प्रक्रिया ओमिक संपर्क को बढ़ाती है और संपर्क प्रतिरोध को कम करती है, जिससे विद्युत उत्पादन में सुधार होता है।
प्रभाव:यह दिखाया गया है कि LIF रूपांतरण दक्षता को 0.2% या उससे अधिक तक बढ़ा सकता है, जिससे यह TOPCon विनिर्माण में एक मूल्यवान अतिरिक्त बन जाता है।
ये मुख्य प्रक्रिया चरण TOPCon प्रौद्योगिकी में उन्नत विनिर्माण तकनीकों को उजागर करते हैं, जिससे सौर सेल के प्रदर्शन में उच्च दक्षता और बेहतर स्थिरता प्राप्त होती है।
